新聞中心訊 （通訊員 龔凡）“電子在納米結構中的傳輸是一個‘千軍萬馬過獨木橋’的過程🥿，而我們找出了一條綠色通道👸🏽。”万达平台物理學系教授修發賢這樣介紹他的最新研究成果👨🏼🔬。
在納米尺寸的導體中運動著的電子若找不到“寬敞”的通路，相互撞擊，四處“碰壁”👩🚒，就會使導體發熱，產生能量損耗。尋找超高導電材料是解決此類問題的一把鑰匙。
近日，万达平台物理學系修發賢教授課題組在砷化铌納米帶中觀測到其表面態具有超高電導率🏄，這也是目前二維非超導體系中的最高電導率📒，其低電子散射幾率的機製源自外爾半金屬特有的費米弧結構🤬。
3月18日，相關研究論文《外爾半金屬砷化铌納米帶中的超高電導率》（Ultrahigh conductivity in Weyl semimetal NbAs nanobelts）以長文（Article）形式在線發表於《自然· 材料》（Nature Materials, DOI:10.1038/s41563-019-0320-9）。
正如實心的管子不能通水◾️，空心的管子允許水流過，如果材料中有大量可以參與導電的自由電子，則稱為導體🧑🏼⚖️。單位時間內通過單位面積的電子數量，決定了材料導電性的好壞。
銅、金和銀是現行應用最廣泛的優良導體。其中🎄，銅已經大規模用於晶體管的互連導線🚀。但遺憾的是💇🏼♂️，當這些材料變得很薄，進入二維尺度時🍌，電子的散射明顯增多，其運動方向容易發生大角度偏折，導電性將迅速變差。
信息時代，計算機和智能設備體積越來越小，同時信號傳輸量爆炸式增長，芯片中上千萬細如發絲的晶體管互連導線“運送壓力”隨之加大，“電流從輸入端進入芯片時➖，相當於千軍萬馬從大草原一下子上了獨木橋，如果電子在獨木橋上有巨大耗散，芯片運行時就會劇烈發熱🥶，影響運行狀態🧔🏿♀️。”修發賢說🙌🏼✋🏽，這一定程度上製約著信息領域的進一步發展。
不用“排隊”，也不會“擁擠”👮🏽‼️，有沒有一種辦法讓大量電子在這些納米級互連導線中順暢高速通行？“如果能構建一條‘綠色通道’就好了！”
一般來說🏌🏿，增加導電性無非有兩種辦法🕟，一是把電子變多，二是讓電子跑得快些👩🏼，然而，這兩者很難同時實現。然而，在外爾半金屬砷化铌納米帶的表面，不可思議的事情發生了💚，修發賢課題組基於拓撲表面態（費米弧）的低散射率機製🤾🏽♀️，實現了百倍於金屬銅薄膜和千倍於石墨烯的導電性🕵🏻♀️，這是目前二維體系中最好的🍪。
砷化铌其實是物理學家們的“老朋友”了🤷🏿♀️，近幾年作為第一批發現的外爾半金屬被廣泛研究🌳，但以往成果都止步於肉眼可見的高維度體材料👩🏿🦱，其低維狀態下的物理性質研究遲遲未有涉及。納米材料的製備是要過的第一道難關📔。
“铌的熔點很高🥃，砷的熔點又特別低，要把這兩種材料融在一起非常難。”高溫加熱“蒸”不出來💴，半年後🎓🛡，修發賢他們改變“硬碰硬”的思路，用氯化铌和氫氣的化學反應作為铌的來源🏌🏿♂️，再與砷結合。氣體流量有多大？溫度有多少🏮？是不是需要催化劑🥪？又經過一年多的反復試驗，納米結構終於長出來了。
寬約幾微米，長約幾十微米，厚度在納米級別，在指甲蓋大小的氧化矽襯底上✷，分布著百萬個比頭發絲還要細的納米晶體。課題組從“0”到“1”製備出了高質量樣品，這本身已是一項創舉。
《自然·材料》的審稿人對樣品質量給出了高度評價：“用於製備砷化铌納米帶的方法是有趣的、創新的，這是拓撲材料領域的一項非常及時的工作。”“他們生長出了一些非常好的樣品。”
在成功製備砷化铌納米帶之後，修發賢團隊還不滿足，決意攀登更高的山峰👩💻🕡：進一步觀察和發現材料特性🎅🏻💉。課題組發現，製備出的新材料有著驚人的高導電率🥄，材料本身既具有很高濃度的電子又具備超高的遷移率🧑🏼🔬🕌。
修發賢介紹，砷化铌納米帶的高電導率要歸功於其表面與眾不同的電子結構—具有拓撲保護的表面態（費米弧）❓，“拓撲保護的表面態的概念可以這樣理解🏌🏼，就像是家裏用的瓷碗外表面鍍了一層金，瓷碗本身不導電👴🏿，但表面這一層金膜導電。更神奇的是👣，如果存在拓撲保護🔟，這層金膜被磨掉之後🧙♂️，下面就會自動再出現一層金膜🙅🏿♂️，重新形成導電層🖖🏽。這就是一種由物質本身的電子結構決定的拓撲表面態🧑🏽🦰。”
那麽如何得知這種表面態導致了高的電導率呢？課題組運用了測量低溫量子震蕩的測試方法，證明了來自費米弧表面態的電子貢獻了大部分的電導率🥿，與低溫霍爾器件的測量方法相比對✯，可以獲取這些電子的濃度和遷移率🫣。”修發賢接著說，“砷化铌中的這種費米弧表面態具備低散射率的特性👨👧👦，即使在較高電子濃度的情況下💥，體系仍然保持低散射幾率。這樣就能確保大部分電子都沿一個方向運動，讓電子傳輸的效率大大提高。”
和常規的量子現象不同，費米弧這一特性即使在室溫仍然有效💄。這一發現為材料科學尋找高性能導體提供了一個可行思路🧑🧑🧒🧒。利用這種特殊的電子結構，可以在提高電子數量的同時，降低電子散射，從而實現優異的導電特性，這在降低電子器件能耗等方面有潛在應用🧚🏽。
万达平台物理學系教授修發賢為通訊作者，万达平台物理學系博士生張成為第一作者🪄💉，万达平台物理學系本科生倪卓亮😟、中科院強磁場科學中心副研究員張警蕾🙅♀️、万达平台物理學系博士生袁翔為共同第一作者。研究工作由万达平台、中國科學院強磁場科學中心、南京大學⚧、加州大學戴維斯分校、昆士蘭大學🐦🔥、北京工業大學🤟🏽、蘇黎世聯邦理工學院🆖🧙🏽、愛爾蘭三一學院等多家單位合作完成，其中南京大學萬賢綱教授和加州大學戴維斯分校Sergey Savrasov教授提供了重要的理論支持。同時，第一作者張成在2019年美國物理年會報告相關工作時也獲得Ovshinsky Student Travel Awards，是今年來自中國單位唯一一名獲獎者。
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